Моделирование микроплазм p-n перехода и теоретической исследование поверхности состояния полупроводника с учетом квантовым физики с методом эффективных волновых функций

Abstract

Действительно, уже в самых первых исследованиях лавинного пробоя p-n переходов и диодов Щоттки было показано, что пробой в них сильно локализован. Область локального пробоя имеет малые геометрические размеры и существенно меньшее рапряженые пробоя по сравнению с однородными областями. Область такого локализованного пробоя была названа микроплазмой