Моделирование микроплазм p-n перехода и теоретической исследование поверхности состояния полупроводника с учетом квантовым физики с методом эффективных волновых функций
| dc.contributor.author | Хожамуратова Ж.Р | |
| dc.date.accessioned | 2025-12-30T18:38:07Z | |
| dc.date.issued | 2024-04-09 | |
| dc.description.abstract | Действительно, уже в самых первых исследованиях лавинного пробоя p-n переходов и диодов Щоттки было показано, что пробой в них сильно локализован. Область локального пробоя имеет малые геометрические размеры и существенно меньшее рапряженые пробоя по сравнению с однородными областями. Область такого локализованного пробоя была названа микроплазмой | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.identifier.uri | https://academiaone.org/index.php/4/article/view/699 | |
| dc.identifier.uri | https://asianeducationindex.com/handle/123456789/34196 | |
| dc.language.iso | eng | |
| dc.publisher | Open Academia | |
| dc.relation | https://academiaone.org/index.php/4/article/view/699/579 | |
| dc.rights | https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 | |
| dc.source | Open Academia: Journal of Scholarly Research; Vol. 2 No. 4 (2024): Open Academia; 7-23 | |
| dc.source | 2810-6377 | |
| dc.subject | локализованного | |
| dc.subject | уже | |
| dc.subject | локального | |
| dc.subject | пробоя | |
| dc.title | Моделирование микроплазм p-n перехода и теоретической исследование поверхности состояния полупроводника с учетом квантовым физики с методом эффективных волновых функций | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | |
| dc.type | Peer-reviewed Article |
item.page.files
item.page.filesection.original.bundle
pagination.showing.detail
loading.default
- item.page.filesection.name
- untitled_2024_p-n.pdf
- item.page.filesection.size
- 719.93 KB
- item.page.filesection.format
- Adobe Portable Document Format